近日，聊城大学物理科学与信息工程学院桑丹丹副教授课题组在工程技术类期刊《Rare Metals》(《稀有金属》中科院一区Top，影响因子6.318)上发表了题为“Research progress of optoelectronic devices based on two-dimensional MoS₂ materials（基于二维MoS2材料的光电子器件研究进展）”的综述文章，并被选为封面文章。2021级硕士生邹良锐为文章第一作者，桑丹丹副教授、王庆林副教授为文章通讯作者，聊城大学为第一通讯单位。

该综述文章归纳了基于二维（2D）纳米MoS₂材料光电器件（例如传感器、光电探测器、发光二极管、存储器和场效应晶体管等）的最新应用进展，并对基于二维纳米 MoS₂ 材料光电器件的未来发展方向提出新的见解和展望。例如，可通过优化MoS₂纳米结构及其与不同衬底的集成，以提高光电器件的响应率。该研究有助于进一步拓展新型二维纳米材料光电器件的应用领域。

图1. （a）MoS₂/GaSe异质结示意图；（b） MoS₂/GaSe异质结在不同光照波长下的I-V曲线；（c）405nm光照下不同功率密度下的光电特性； （d）低偏置电压下MoS₂/GaSe 异质结的 I-V 曲线；（e）MoS₂/GaSe异质结传感机理示意图

图2. （a）MoS₂薄膜晶体管结构示意图；(b) MoS₂薄膜的横截面TEM图像；（c）V_DS=1V时的 V_GS-I_DS 曲线；（d）V_DS-I_DS 曲线在 V_GS 从-30到50 V；（e）I_on 和 I_off 的直方图以及 I_on/I_off 的图；（f）20个MoS₂ TFT的g_m 和V_TH 图

该工作得到了国家自然科学基金、山东省自然科学基金、山东省高等学校青创人才引育计划、山东省高等学校青创科技计划和山东省泰山学者专项建设等项目的资助。

文章链接：https://doi.org/10.1007/s12598-022-02113-y

（审稿：刘才龙）