近日，聊城大学物理科学与信息工程学院桑丹丹副教授课题组在《Rare Metals》（《稀有金属》中科院一区Top期刊，影响因子8.8）上发表了题为“Two-dimensional MoS2/diamond based heterojunctions for excellent optoelectronic devices: current situation and new perspectives”（用于优异光电器件的二维MoS2/金刚石基异质结：现状和新前景）的综述文章。2021级硕士生邹良锐为文章第一作者，桑丹丹副教授、王庆林副教授为文章通讯作者，聊城大学为第一通讯单位。
MoS2是已知的二维半导体材料中光电性能最优秀的材料之一，作为下一代晶体管沟道的半导体材料备受关注。金刚石具备载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等特性,是制造大功率、高温、高频器件的理想材料。该综述文章归纳了基于二维MoS2/金刚石基异质结光电器件（包括光探测器、存储器、晶体管、发光二极管和电子场发射器件等）的最新研究进展，对构建新型二维MoS2/diamond异质结光电器件的提出了新策略，并对该类器件未来发展方向提出了新的见解与展望，有助于进一步拓展二维MoS2/金刚石基光电器件的应用领域。
图1. （a）具有不对称电极的MoS2/金刚石异质结光电探测器的结构图； （b） 垂直MoS2纳米片/金刚石纳米棒光电探测器； （c） 双层MoS2薄膜/银纳米粒子/金刚石纳米线/金刚石光电探测器； （d） MoS2/金刚石异质结能带结构示意图
该工作得到了国家自然科学基金、山东省自然科学基金、山东省高等学校青创团队计划、、聊城大学科研基金和山东省泰山学者专项建设等项目的资助。
文章链接：https://doi.org/10.1007/s12598-023-02381-2
（审稿：刘才龙）